Нечаев А.М.
Изобретатель Нечаев А.М. является автором следующих патентов:
Способ контроля однородности структуры мощных транзисторов
1. Способ контроля однородности структуры мощных транзисторов, включающий импульсный разогрев структуры при постоянной амплитуде тока эмиттера и регистрацию изменения во времени прямого падения напряжения на переходе эмиттер - база, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных, разогрев осуществляют подачей прямоугольного импульса напряжения на переход коллектор - база, амплитуд...
923281