Синкевич В.Ф.

 1. Способ контроля однородности структуры мощных транзисторов, включающий импульсный разогрев структуры при постоянной амплитуде тока эмиттера и регистрацию изменения во времени прямого падения напряжения на переходе эмиттер - база, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных, разогрев осуществляют подачей прямоугольного импульса напряжения на переход коллектор - база, амплитуд...

 Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для контроля тепловой устойчивости транзисторов в импульсных режимах. Цель изобретения - повышение достоверности контроля тепловой устойчивости однородного токораспределения в импульсных режимах работы мощных биполярных транзисторов - достигается за счет контроля соответствующей исследуемому импульсному режиму работы кр...

 Изобретение относится к области полупроводников электроники и может быть использовано при производстве полупроводниковых приборов, в мощных ВЧ- и СВЧ-транзисторах и др. Цель - улучшение энергетических параметров путем обеспечения равномерного распределения тока между отдельными транзисторными структурами. Мощный высокочастотный транзистор, сформированный в корпусе с выводами эмиттера, баз...