Курлов В.Н.

  Изобретение относится к технике выращивания кристаллов вытягиванием методом Чохрального в автоматическом режиме. Сущность: при реализации способа в расплав вводят пластину параллельно поверхности расплава и осуществляют дополнительную компенсацию локальным изменением температуры под фронтом кристаллизации Tп канал. Температуру под фронтом кристаллизации изменяют путем изменения силы тока...

 Изобретение относится к технике выращивания профилированных кристаллов из расплава с изменяемой формой поперечного сечения. Сущность предлагаемого способа состоит в том, что затравливание производят на затравочную пластину по всему периметру трубчатого формообразователя с образованием полого замкнутого объема и вытягивают из столба расплава на торце формообразователя, погруженного в тигел...

 Изобретение относится к технике выращивания профилированных кристаллов из расплава с изменяемой формой поперечного сечения. Сущность предлагаемого способа состоит в том, что затравливание производят на затравочную пластину по всему периметру трубчатого формообразователя с образованием полого замкнутого объема. При этом торцевую поверхность формообразователя выполняют с центральной выемкой...

 Изобретение относится к технике выращивания профилированных кристаллов вытягиванием их из расплава с вращением с применением формообразователей и может быть использовано для получения монокристаллических труб и стержней с периодически изменяющимся содержанием примеси по длине кристалла. Сущность изобретения: устройство включает тигель 1 с разделительной перегородкой 2, разделяющей расплав...