ЕСИНА Н.П.

  СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СТРУКТУР С р-п-ПЕРЕХОДОМ НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДIII В , включающий эпиНИКОВ ТИПА А таксиальное наращивание слоев In Ga,xAs из легированного акцепторной примесью раствора-расплава, о тличающийся тем, что с целью улучщения фотоэлектрических свойств структур, в качестве легирующей акцепторной примеси используют марганец в концентрации 0,000160 ,0033 ат.долей. СОЮЗ...