КЛАРК Лоуренс Т. (US)

 Изобретение относится к полупроводниковым структурам для обнаружения излучения видимого диапазона. Техническим результатом изобретения является повышение чувствительности за счет снижения темнового тока на граничной поверхности между обедненным слоем и прозрачной изоляционной областью. Сущность: фотодиод (200) включает изолирующую область (202), которая пропускает через себя свет. Фотодио...