Айзенштат Г.И.

 (19)SU(11)803744(13)A1(51)  МПК 5    H01L21/338(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Изобретение относится к электронной технике, а более конкретно к способам изготовления полупроводниковых приборов на эффекте Ганна с управляющим элект...

 (19)SU(11)807915(13)A1(51)  МПК 5    H01L21/72(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 27.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ СОЗДАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Изобретение относится к электронной технике, и способам создания полупроводниковых приборов (преимущественно полевых транзисторов с барьером Шоттки) и може...

 Изобретение относится к электронной технике и предназначено для создания дискретных полупроводниковых приборов и сверхбыстродействующих интегральных схем. Цель изобретения - повышение надежности металлических дорожек управляющего электрода и повышение воспроизводимости параметров приборов. Способ состоит в следующем. На полуизолирующей подложке выделяют активную область прибора, создают о...

  Использование: в микроэлектронике при производстве полевых транзисторов на арсениде галлия с увеличенным быстродействием за счет уменьшения длины затвора. Сущность изобретения: способ изготовления полупроводникового прибора включает выделение активной области прибора на полупроводниковой структуре, формирование омических контактов, нанесение диэлектрического слоя на поверхность структуры...

 Использование: в сверхширокополосных устройствах связи, автоматики, измерительной и вычислительной техники, для повышения площади усиления при одновременном увеличении запаса по фазе и уменьшении времени установления переходного процесса. Сущность изобретения: в операционном усилителе, выполненном на полевых транзисторах, содержащем дифференциальный каскад на первом и втором транзисторах,...

 Использование: для регистрации заряженных частиц и гамма квантов. Сущность: детектор ионизирующего излучения выполнен из высокоомного полупроводника (, или i - типов) и содержит катод из полупроводника р-типа, анод из полупроводника n-типа, а также омические контакты к ним. Анод выполнен в виде полоски с двумя омическими контактами, созданными с двух противоположных сторон этой полоски и...