Толбанов О.П.
Изобретатель Толбанов О.П. является автором следующих патентов:
Детектор ионизирующего излучения
Использование: для регистрации заряженных частиц и гамма квантов. Сущность: детектор ионизирующего излучения выполнен из высокоомного полупроводника (, или i - типов) и содержит катод из полупроводника р-типа, анод из полупроводника n-типа, а также омические контакты к ним. Анод выполнен в виде полоски с двумя омическими контактами, созданными с двух противоположных сторон этой полоски и...
2178602