ЕРМОЛАЕВ ЮРИЙ МИХАЙЛОВИЧ
Изобретатель ЕРМОЛАЕВ ЮРИЙ МИХАЙЛОВИЧ является автором следующих патентов:
Способ обработки сточных вод,образующихся при очистке поверхностей металлов от взвешенных веществ
В. Д. Плешаков, Н.-С. Серпокрылов, И, М. Жуков,I:Â. П .Ощщрiро В. Ф. Акимова и Ю. М. Ермолаев .1" Г Ф г Г чи: Новочеркасский ордена Трудового Красного Знамени по институт им. Серго Орджоникидзе (72) Авторы изобретения (7l) Заявитель (54) СПОСОБ ОБРАБОТКИ СТОЧНЫХ ВОД, ОБРАЗУЮЩИХСЯ ПРИ ОЧИСТКЕ ПОВЕРХНОСТЕЙ МЕТАЛЛОВ ОТ ВЗВЕШЕННЫХ ВЕЩЕСТВ Изобретение относится к обработке ст...
941310Свч-усилитель
1, СВЧ-УСИЛИТЕЛЬ, содержащий диэлектрическую подложку, на одной стороне которой нанесен слой металлизации, а на другой стороне входной и выходной полосковые проводники и пленка из полупроводникового материала, на которой расположены первые концы п параллельных полосковых резонаторов, вторые концы СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ PEOlYBËÈН (51) 4 Н 03 Г 3/04 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕ...
1193768Субгармонический смеситель
Изобретение относится к технике СВЧ и обеспечивает расширение частотного диапазона в коротковолновую часть и уменьшение потерь преобразования . Субгармонический смеситель содержит два последовательно соединенных отрезка прямоугольного волновода (ОПВ) 1, 2, вьтолненных с общей широкой стенкой, и диэл. подложку, закрепленную вдоль ОПВ 1, 2 между серединами их широких стенок. На одн...
1338082Усилитель
Изобретение относится к СВЧ- электроникв и позвол-ет увеличить выходную мощность при повышении рабочей частоты. Усилитель представляет собой отрезок прямоугольного вол .новода, вдоль Е-плоскости которого установлена диэл. подложка (ДП), а на его продольной оси в Н-плоскости установлена металлическая диафраг ма (МД). На ДП сформирована щелевая линия, концы которой выполнены в виде...
1455382Монолитный усилитель мощности
Изобретение относится к СВЧ-электронике. Цель изобретения - увеличение рабочей частоты. Усилитель содержит отрезок волновода, изолирующую подложку с активным слоем 5 полупроводника, делитель и сумматор, образованные полосковыми проводниками 6 и 7 и заземленными обкладками 8 и 9, слой диэлектрика, выполненный встык с активным слоем имеющий равную с ним толщину, полевые транзисторы...
1688385