Кантер Ю.О.

 Способ выращивания монокристаллов полупроводниковых материалов из расплава в запаянной ампуле, включающий предварительный перегрев расплава, затравливание в носике ампулы и последующую направленную кристаллизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода монокристаллов, предварительный перегрев ведут не более чем на 5-10oC выше температуры плавления, затравливание проводят...

 Устройство для крепления подложек, содержащее основание и установленные на нем держатели в виде пружинной скобы с изогнутыми концами в плоскости держателя, отличающееся тем, что, с целью расширения эксплуатационных возможностей, концы держателя выполнены с дополнительным изгибом в плоскости, размещенной под углом к плоскости держателей.