Будаковский С.В.
Изобретатель Будаковский С.В. является автором следующих патентов:
Сцинтиллятор на основе монокристалла стильбена и способ его получения
1. Сцинтиллятор на основе монокристалла стильбена, отличающийся тем, что, с целью повышения термической и механической прочности и улучшения структурного совершенства, он дополнительно содержит хлоранил в концентрации (0,2 - 1,2) 10-2 мол.%. 2. Способ получения сцинтиллятора на основе монокристалла стильбена, включающий направленную кристаллизацию его расплава на ориентированной затравке...
948171Способ изготовления сцинтилляционных детекторов на основе монокристаллов n-терфенила и стильбена
Способ изготовления сцинтилляционных детекторов на основе монокристаллов n-терфенила и стильбена, включающий выращивание монокристалла, обработку его и контейнеризацию, отличающийся тем, что, с целью улучшения сцинтилляционных характеристик детекторов, перед контейнеризацией обработанные монокристаллы нагревают со скоростью 1 - 2 град/мин до 60 - 80oC и проводят изотермический отжиг в теч...
1037773Устройство для выращивания монокристаллов
1. Устройство для выращивания монокристаллов направленной кристаллизацией расплава, включающий двухзонную вертикальную печь с диафрагменной перегородкой и установленную внутри печи ампулу для расплава в герметичном кожухе, выполненную в виде цилиндра с коническим дном, отличающееся тем, что, с целью повышения качества монокристаллов из щелочно-галоидных материалов, дно ампулы размещено на...
1122012Способ очистки паратерфенила
Способ очистки паратерфенила, включающий фракционирование его, перекристаллизацию из органического растворителя и последующую зонную плавку, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода целевого продукта и сокращения времени очистки, перед зонной плавкой паратерфенил дополнительно подвергают электромагнитному облучению в диапазоне волн ультрафиолетового света, рентгеновского или гамма...
1226799Устройство для выращивания кристаллов направленной кристаллизацией расплава
Устройство для выращивания кристаллов направленной кристаллизацией расплава, включающее вертикальную печь, разделенную горизонтальной диафрагменной перегородкой на две зоны, размещенную внутри печи ампулу для расплава, выполненную в форме цилиндра с коническим дном и снабженную кожухом, отличающееся тем, что, с целью повышения качества кристаллов за счет стабилизации положения и формы фро...
1262998Способ обработки активированных европием монокристаллов иодида лития
Изобретение относится к способам изготовления сцинтилляционных детекторов для радиометрии нейтронного и -излучений. Целью изобретения является улучшение сцинтилляционных характеристик времени обработки. Цель достигается одностадийной матировкой торцовых и боковых поверхностей кристалла LiI(Eu) абразивным материалом с размером зерна 14 - 40 мкм. Данный способ позволяет улучшить энергетиче...
1609315Способ изготовления сцинтилляционных детекторов на основе монокристаллов паратерфенила
Изобретение относится к спектрометрии и регистрации ионизирующего излучения и может быть использовано для изготовления сцинтилляционных детекторов на основе органических монокристаллов. Цель изобретения - улучшение сцинтилляционных характеристик детекторов и повышение их устойчивости к воздействию механических и климатических нагрузок. Это достигается применением в качестве полировальной...
1715068Сцинтилляционный детектор ионизирующих излучений и способ его получения
Изобретение относится к сцинтилляционной технике и предназначено для производства детекторов и фосвич-детекторов ионизирующих излучений. Для улучшения светового выхода в способе получения сцинтилляционного детектора ионизирующих излучений на основе сцинтилляционного материала, включающем термическое испарение в вакууме органических сцинтилляторов на подложку, в качестве сцинтилляционного...
1835935