КАБАНЕЦ В.И.
Изобретатель КАБАНЕЦ В.И. является автором следующих патентов:
Составной транзистор
1. СОСТАВНОЙ ТРАНЗИСТОР, состоящий из двух каскадов, соединенных преимущественно по схеме Дарлингтона , вьшолненный на кремниевой подложке , являющейся общим коллектором, имеющий полупроводниковые слои базы И- эмиттера, токоподводящие и монтажные контакты, отличающийся тем, что, с целью уменьшения паразитной емкости, повьшения тепловой устойчивости и производительности монтажа, :...
957690