Скутин А.А.

  Изобретение относится к технологии травления высокотемпературных сверхпроводящих пленок Y-Ba-Cu-o. Сущность изобретения: воздействует на поверхность образца активными частицами кластерами HCL и H2O которые получают смешиванием исходных газов: паров воды и хлористого водорода при последовательном их напуске в вакуумированную камеру, причем сначала напускают пары воды до парциального давле...

 Изобретение относится к области исследования характеристик ВТСП материалов. Сущность способа, основанного на индукционном возбуждении кольцевого тока в образце и определении критического тока по величине тока возбуждающей катушки индуктивности, заключается в том, что возбуждают кольцевой ток в образце произвольной плоской формы полем синусоидального тока возрастающей амплитуды на частоте...

 Изобретение относится к области технологии получения тонких ВТСП пленок YBaCuO методом лазерной абляции. Сущность изобретения заключается в следующем. При определенных значениях плотности мощности лазерного излучения в импульсе капли на поверхности пленки появляются, лишь спустя некоторое время (время запаздывания) после начала облучения мишени лазером. Для мишени YBaCuO с известной плотн...

 Использование: получение материалов, обладающих сверхпроводящими свойствами. Сущность изобретения: смешивают нитрат бария, оксид меди и оксид редкоземельного металла для получения соединения состава MBa2Cu3O7-x. Смесь в тигле из серебра или золота нагревают до 850 - 960oC, причем, в области температур выше 600 - 640oC нагревание ведут со скоростью 50 - 100oC/ч. Расплав выдерживают при 850...

 Использование: сверхпроводниковая техника, при получении многослойных структур типа сверхпроводник-изолятор-сверхпроводник, сверхпроводник-нормальный проводник-сверхпроводник, сверхпроводник-изолятор-нормальный проводник-изолятор-сверхпроводник и так далее, а также при изготовлении сверхпроводниковых устройств микроэлектроники: трансформаторов магнитного потока, джозефсоновских контактов,...

 Использование: при разработке высокочувствительных сверхпроводящих датчиков магнитного потока и детекторов электромагнитного поля. Сущность изобретения: в сверхпроводящем квантовом интерференционном датчике, содержащем электроды и мостики из сверхпроводящего материала, электроды и мостики выполнены из монокристаллической эпитаксиальной сверхпроводящей пленки YВаСuО толщиной 10 - 25 нм. Эл...

 Изобретение относится к электронным устройствам, использующим высокочувствительные системы на базе пленочных высокотемпературных ПТ-СКВИДов. Предложен СКВИД-магнитометр на высокотемпературных пленках, содержащий приемный контур, контур связи для введения магнитного потока в измерительный контур, включающий ПТ-СКВИД с элементами Джозефсона. Магнитометр изготовлен на одном слое ВТСП пленки...

 Изобретение относится к сверхпроводниковой технике, в частности к формированию структуры типа SIS. Предложен способ формирования многослойных структур из материала YBaCuO с двух сторон подложки методом лазерной абляции. Способ характеризуется следующим: подложку устанавливают внутри цилиндрической печи на держателе со смещенным центром тяжести на расстоянии 1-3 см от мишени, держатель фик...

 Изобретение относится к способам создания слабых связей, используемых в высокочувствительных системах на пленочных YBaCuO ВТСП-сквидах. Предложен способ, заключающийся в том, что в тонких сверхпроводящих пленках в области слабых связей создают механические напряжения, не подвергающиеся релаксации в процессе эксплуатации указанных систем, при этом механические напряжения создают термически...