Муравьев А.Б.
Изобретатель Муравьев А.Б. является автором следующих патентов:
Способ получения сверхпроводящего материала mba2cu3q7- x
Использование: получение материалов, обладающих сверхпроводящими свойствами. Сущность изобретения: смешивают нитрат бария, оксид меди и оксид редкоземельного металла для получения соединения состава MBa2Cu3O7-x. Смесь в тигле из серебра или золота нагревают до 850 - 960oC, причем, в области температур выше 600 - 640oC нагревание ведут со скоростью 50 - 100oC/ч. Расплав выдерживают при 850...
2104939Способ формирования многослойных структур с разными электрофизическими свойствами
Использование: сверхпроводниковая техника, при получении многослойных структур типа сверхпроводник-изолятор-сверхпроводник, сверхпроводник-нормальный проводник-сверхпроводник, сверхпроводник-изолятор-нормальный проводник-изолятор-сверхпроводник и так далее, а также при изготовлении сверхпроводниковых устройств микроэлектроники: трансформаторов магнитного потока, джозефсоновских контактов,...
2107973Сверхпроводящий квантовый интерференционный датчик и способ его изготовления
Использование: при разработке высокочувствительных сверхпроводящих датчиков магнитного потока и детекторов электромагнитного поля. Сущность изобретения: в сверхпроводящем квантовом интерференционном датчике, содержащем электроды и мостики из сверхпроводящего материала, электроды и мостики выполнены из монокристаллической эпитаксиальной сверхпроводящей пленки YВаСuО толщиной 10 - 25 нм. Эл...
2133525Сквид-магнитометр на высокотемпературных пленках
Изобретение относится к электронным устройствам, использующим высокочувствительные системы на базе пленочных высокотемпературных ПТ-СКВИДов. Предложен СКВИД-магнитометр на высокотемпературных пленках, содержащий приемный контур, контур связи для введения магнитного потока в измерительный контур, включающий ПТ-СКВИД с элементами Джозефсона. Магнитометр изготовлен на одном слое ВТСП пленки...
2184407Способ формирования многослойных структур из материала yвaсuо с двух сторон подложки
Изобретение относится к сверхпроводниковой технике, в частности к формированию структуры типа SIS. Предложен способ формирования многослойных структур из материала YBaCuO с двух сторон подложки методом лазерной абляции. Способ характеризуется следующим: подложку устанавливают внутри цилиндрической печи на держателе со смещенным центром тяжести на расстоянии 1-3 см от мишени, держатель фик...
2189090Способ создания слабых связей в системах на пленочных втсп- сквидах
Изобретение относится к способам создания слабых связей, используемых в высокочувствительных системах на пленочных YBaCuO ВТСП-сквидах. Предложен способ, заключающийся в том, что в тонких сверхпроводящих пленках в области слабых связей создают механические напряжения, не подвергающиеся релаксации в процессе эксплуатации указанных систем, при этом механические напряжения создают термически...
2199796