Хаджи В.Е.
Изобретатель Хаджи В.Е. является автором следующих патентов:
Способ выращивания кристаллического кварца
Использование: для получения кристаллического кварца стандартизированных размеров для массового выпуска резонаторных устройств на современных высокопроизводительных линиях разделки кристаллов. Сущность изобретения: способ выращивания кристаллического кварца в гидротермальных условиях из раствора гидроокиси натрия концентрации 3,5 - 5,0 вес.% на стержневые затравки, вытянутые вдоль кристал...
2057210Способ получения опаловидного кварца
Использование: в ювелирной промышленности. Сущность изобретения: опаловидный кварц получают гидротермальным методом из кварцевой шихты в щелочной среде при высоком давлении и температуре на затравочных пластинах различной ориентации. После выращивания проводят термообработку при 480 - 600oС непосредственно в той же реакционной камере, где проводился синтез, без вскрытия автоклава. Проведе...
2064979Способ получения цитрина
Использование: в ювелирной и камнерезной промышленности. Сущность изобретения: кристаллы цитрина получали в гидротермальных условиях из водного раствора карбоната калия в присутствии ионов железа, окислителя азотнокислого лития и растворимого соединения кобальта CO3O4 в количестве 0,2 - 0,5 г/л. Синтез ведут при температуре 300 - 350oC и давлении 400 - 1500 атм. Получают кристаллы с красн...
2071511Способ выращивания монокристаллов кварца
Изобретение относится к способам получения синтетических монокристаллов кварца и гидротермальных растворов методом температурного перепада и может быть использовано для получения высококачественного оптического кварца, используемого в оптико-механической и радиоэлектронной промышленности. Сущность изобретения: монокристаллы кварца выращивают гидротермальным методом из щелочных растворов п...
2180368Способ выращивания кристаллического кварца
Изобретение относится к способу синтеза кварцевых монокристаллов, используемых в радиоэлектронной промышленности при изготовлении различных термостабильных элементов, для производства которых применяют пьезокварцевые крупноразмерные подложки в виде квадратов или АТ-среза дисков. Сущность изобретения: выращивание кристаллического кварца осуществляют в гидротермальных условиях из натрийсоде...
2181796Способ выращивания кристаллов цинкита
Изобретение относится к производству синтетических кристаллов, в частности к способам получения кристаллов цинкита, которые являются хорошими пьезоэлектриками, обладающими высоким коэффициентом электромеханической связи, и могут быть использованы в пьезотехнике, акустооптоэлектронике и других областях науки и техники. Сущность изобретения: в способе, включающем выращивание кристаллов цинк...
2198250