ВЕДЕНЕЕВ А.С.

  Союз Советских Социалистических Республик ОП ИСАНИ Е ИЗОВ ЕтЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (((i961 501 (6l } Дополнительное к авт. санд-ву (51)M. Кл. Н 01 4 21/66 G(01 М27/00 (22) Заявлено 12.09.80 (21) 3000050/18-25 / с с присоединением заявки М 9кударстиаивй квмитет CCCP ао аалэи кзебретенкк и втхрыткк (23 f Приоритет Опубликовано 23.01.83. Бюллетень М 3 Дата опубли...

  1. Устройство для измерения электропоглощения и злектроотражения света, содержащее источник света, источник модулирующего напряжения, последовательно соединенные блоки измерения и регистрации прошедшего и отраженного от образца света, отличающееся тем, что, с целью повышения чувствительности. дополнительно содержит формирователь импульсов модулирующего напряжения, включенный межд...

  Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для определения параметров легирования полупроводников Целью изобретения является неразрушак)- щее определение параметров объемного легирования полупроводника - концентрации основной легируницей примеси, степени ее компенсации и энергии активации . Согласно изобретению, при термостимулированном разряде МД...

  йзобреташ-гв относите) я полугфоводниковой TexHKfce и может быть использовано .для определемия электрофизическ параметров полуг/роводичков методог-5 эфсректа Холлг;, Целью изобретения является повышение точностнз Измеряются мгнов8нт 1е значенкя переменного тока через датчик Холла,; по;--гещеняого в переменное магнитное поле, и напряжения на ХОЛЛОБСКИХ контактах датчика. Выделяют...

  Изобретение относится к полупроводни(совой технике и .может быть использовано для определения концентрации основной, компенсирующей и сопутствующей примесей и энергии ионизации сопутствующей примеси в полупроводниках . Способ позволяет расширить возможности способа на определение концент4 аций компенсирующей и сопутствующей примесей и энергии ионизации соответствующей примеси. Ис...

  ССНОЗ СОВЕТСКИХ СООИАЛИСТИЧЕСКИК РЕСПУБЛИК (51) 5 Н 01 Т 21/66 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР AО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЬП ИЙ ((21) 4 f 40317/25 (22) 02.09.86 (46) 15,12.91, Бюл. N - 46 (7f) Институт радиотехники и элект ррники АН СССР (72) А.С.Веденеев, Е.И.Гольдман, А.Г.Ждан, и А.В.Кузнецов (53) 62 i . 382(088.8) (56) Гуляев Н.В. и др. Спектроскопия электронных состояний н...

  Изобретение касается определения кинетических характеристик твердых тел и может быть использовано для определения качества изтериалов, применяемых в твердотельной электротехнике, при исследовании фундаментальных свойств полупрсводмикоз и полупроводниковых прибоооз. Цель - по5;,шение точности измерений удельной проводимости и ЭДС Холла за счет устранения влияния конечности размеро...

  Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для определения зависимости холловской подвижности носителей заряда проводящем канале от концентрации заполненных пограничных электронных состояний (ЭС), локализованных вблизи границы раздела полупроводник-диэлектрик. Цель изобретения - увеличение числа определяемых параметров путем обгспечения определени...