Лисенков А.А.

 Изобретение относится к области вакуумно - плазменной технологии нанесения покрытий и может найти применение в машиностроении. Целью изобретения является повышение производительности устройства и равномерности покрытий по внутренней поверхности длинномерных цилиндрических изделий. Устройство содержит соосно размещенные анод в виде трубы, ускоряющую катушку 3 и расходуемый катод 4. Соосно...

 Изобретение относится к области вакуумно - плазменной технологии и может найти применение в электронной промышленности. Целью изобретения является повышение качества покрытий путем повышения равномерности по толщине. Способ состоит в том, что в процессе осаждения плазменного потока изменяют напряженность встречного магнитного поля, что обеспечивает сканирование потока заряженных частиц до...

 Изобретение относится к вакуумной технологии нанесения титановых покрытий. Цель изобретения - повышение сорбционных свойств покрытия. Для этого подложку 1 помещают в диапазоне телесных углов от 10 до 30o относительно точки пересечения поверхности катода 2 и его продольной оси. 1 ил. Изобретение относится к вакуумной технологии нанесения покрытий, а конкретно к технологии вакуумно-дугового...

 Изобретение может быть использовано в технологии изготовления вакуумных люминесцентных индикаторов, широко применяющихся в устройствах отображения информации. Операция по нанесению проводящего слоя на стеклянные подложки, выполняющего впоследствии функции анода, считается одной из основных в определении качества выпускаемых вакуумных люминесцентных индикаторов. Использование предлагаемого...

  Изобретение может быть использовано в технологии производства электронных приборов. Цель изобретения заключается в очистке плазменного потока от микро- и макрокапель, а также нейтральных частиц, наличие которых снижает качество формируемого покрытия, тем самым сужая область применения данной технологии. Цель достигается за счет использования сепаратора, расположенного в рабочем объеме на...

 Использование: для нанесения покрытий высокого качества в производстве электронных приборов, машиностроении, товаров народного потребления. Сущность вакуумно-дуговое устройство содержит аттенюатор, расположенный в его рабочем объеме на пути потока между испарителем и подложкодержателем. Аттенюатор состоит из набора плоско-параллельных пластин, плоскости которых параллельны оси устройства....

 Использование: вакуумно-плазменная технология, для нанесения покрытий на длинномерные изделия как в электронной технике, так и в производстве изделий массового потребления. Сущность изобретения: вакуумно-дуговой источник плазмы, содержащий протяженный катод с дугогасящим экраном, расположенным со стороны токоподвода к катоду, поджигающий электрод и анод, снабжен протяженной магнитной сист...

 Сущность изобретения: вакуумно-дуговой источник плазмы, содержащий протяженный цилиндрический катод, протяженную магнитную систему, дугогасящий экран, поджигающий электрод и анод, снабжен протяженной магнитной системой, выполненной в виде спирали, установленной соосно катоду, витки которой охватывают его рабочую поверхность, при этом один из вводов магнитной системы соединен с положительн...

 Изобретение относится к вакуумно-плазменной технологии. Технический результат - создание безаварийного вакуумно-дугового источника плазмы протяженной конструкции с прямолинейным характером движения катодных пятен по рабочей поверхности и надежным дугогашением. Вакуумно-дуговой источник плазмы состоит из протяженного цилиндрического катода, размещенного внутри тонкостенного цилиндрического...

 Изобретение относится к области вакуумно-плазменной технологии и может быть использовано для обработки длинномерных и крупногабаритных изделий. Устройство содержит протяженный цилиндрический катод с симметрично расположенными на нем электростатическими экранами, снабженный с торцов токовыми вводами, подключенными к электрической схеме включения ограничительных сопротивлений и к источнику...