САМСОНОВ НИКОЛАЙ СЕРГЕЕВИЧ
Изобретатель САМСОНОВ НИКОЛАЙ СЕРГЕЕВИЧ является автором следующих патентов:
Формирователь импульсов (его варианты)
Союз Советски к Социалистических Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (51)M. Кл. (22) Заявлено 22. 12. 80 (21) 3219641/18-21 с присоединением заявки М(23) Приоритет Н 03 К 5/01 Н 03 К 17/60 3Ьеударстеенный каинтет СССР Il0 делам изобретений н открытий Опубликовано 15.11.82. бюллетень М 42 Дата опубликования описания 18. 11.82 (53) УДК 621...
974562Устройство для абразивной обработки проката
Изобретение относится к области машиностроения , в частности к устройствам для абразивной обработки, и может быть использовано при обработке проката. Целью изобретения является расширение технологических возможностей за счет обеспечения обработки заготовок с криволинейной поверхностью . Наличие параллелограммного механизма, выполненного в виде установленных на каретке 13 стойки 9...
1288031Устройство для продольной подачи длинномерных изделий
Изобретение относится к промышленному транспорту и позволяет повысить надежность работы устройства,, содержащее раму 1 с установленными на ней опорными роликами 2. Оси 3 роликов 2 перпендикул,ярны направлению перемещения изделий . В промежутках между роликами 2 на концах двух параллельно расположенных и вертикально установленных вилок 6 вдоль направления транспортирования изделий...
1346518Обдирочно-шлифовальный станок
Изобретение относится к устройствам для сплошной зачистки проката и может быть использовано преимущественно в металлургической промышленности. Цель изобретения - упрощение конструкции и расширение технологических возможностей . Станок содержит основание с размещенным на нем корпусом 2, несущим шлифовальную головку 4, крон СОЮЗ СОВЕТСНИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (51)4 В 24...
1431917Способ формирования тонкой высокотемпературной сверхпроводящей пленки на основе иттрия
Изобретение относится к сверхпроводящей микроэлектронике. Сущность изобретения: на пластину наносят буферный и сверхпроводящий слой. Для модификации буферного слоя используют высокоэнтальпийную, низкотемпературную плазму, длительность разового воздействия плазмы 0,01-0,1 с плотностью теплового потока на границе плазма - поверхность 106-107 Вт/м2. При использовании в качестве буфе...
1823932