Ичкитидзе Л.П.

 Изобретение относится к области криоэлектроники. Сверхпроводниковый переключающий элемент согласно изобретению содержит диэлектрическую подложку, сверхпроводящую вентильную пленку, изолирующий слой, сверхпроводящую управляющую пленку. Сверхпроводящие пленки выполнены из сверхпроводника второго рода, а для среднего размера неоднородностей краев вентильной пленки выполняется условие эфф,...

 Использование: в области создания тонкопленочных криогенных устройств на сверхпроводниках. Сущность изобретения: датчик слабого магнитного поля состоит из диэлектрической подложки на основе оксида магния, магниточувствительного элемента из пленки высокотемпературного сверхпроводящего (ВТСП) материала состава Bi1,7Pb0,4Sr2Ca2Cu3Ox, выполненного в виде меандра. Техническим результатом изобр...