ПИРОГОВ Е.Н.
Изобретатель ПИРОГОВ Е.Н. является автором следующих патентов:
Устройство для нагрева образцов при механических испытаниях металлов
УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАГРЕВА ОБРАЗЦОВ ПРИ МЕХАНИЧЕСКИХ ИСПЫТАНИЯХ МЕТАЛЛОВ, содержащее захваты для крепления испытуемого образца металла , выполненные в виде стаканов и закрепленных на их торцах заглушек с центральньми отверстиями для головок образца, трансформатор, вторичная обмотка которого предназначена для соединения с образцом, блок регулирования напряжения, соединенный с первично...
986169Способ термообработки монокристаллов вольфрамата кадмия
Изобретение касается обработки кристаллов , может быть использовано при промышленном производстве монокристаллов вольфрамата кадмия и позволяет увеличить выход годных кристаллов и повысить их световой выход. Кристаллы нагревают в вакууме со скоростью 50-100 град/ч до 390 450°С и выдерживают в течение ч. Затем проводят их термообработку в кислородсодержащей атмосфере. При...
1515796Способ получения монокристаллов германата висмута со структурой эвлитина
Изобретение относится к способу получения монокристаллов германата висмута со структурой эвлитина и позволяет сократить длительность процесса и уменьшить загрязнение расплава и кристаллов и коррозию тигля. Исходные оксиды германия и висмута прокаливают при 965 ± 15°С и 440 ± 10°С соответственно в течение 5-6 ч. .после чего смешивают в тигле и нагревают со скорость...
1603844Способ термообработки сцинтилляционных кристаллов
Изобретение относится к термообрабс |Тке сцинтилляционных кристаллов , которые могут быть использованы лл гаммарегистрации и спектрометрии квантов. Цель изобретения улучшение сцинтилляционных параметров кристаллов германата висмута и увеличение выхода годных. Способ включает нагрев кристаллов со скоростью 75-200 град/ч до 950-1030 с, выдержку при этой температуре в течение 0,5-2,...
1609211Способ выращивания монокристаллов германата висмута
Изобретение относится к способу выращивания монокристаллов германэта висмута и позволяет улучшить КЛЧРСТ- во кристаллов и повысить выход годных . Кристалл выращивают из расплава на затравку. После выращивания верхнего конуса и цилиндрической части кристалла скорость вращения плавно снижают до нуля в течение 5-10 с и продолжают вытягивание при уменьшении температуры расплава от 10...
1700954