Евсеева И.Б.
Изобретатель Евсеева И.Б. является автором следующих патентов:
Способ выращивания кристаллического кварца
Использование: для получения кристаллического кварца стандартизированных размеров для массового выпуска резонаторных устройств на современных высокопроизводительных линиях разделки кристаллов. Сущность изобретения: способ выращивания кристаллического кварца в гидротермальных условиях из раствора гидроокиси натрия концентрации 3,5 - 5,0 вес.% на стержневые затравки, вытянутые вдоль кристал...
2057210Способ выращивания кристаллического кварца
Изобретение относится к способу синтеза кварцевых монокристаллов, используемых в радиоэлектронной промышленности при изготовлении различных термостабильных элементов, для производства которых применяют пьезокварцевые крупноразмерные подложки в виде квадратов или АТ-среза дисков. Сущность изобретения: выращивание кристаллического кварца осуществляют в гидротермальных условиях из натрийсоде...
2181796Способ выращивания цветных разновидностей кристаллов кварца
Изобретение относится к области выращивания в гидротермальных условиях методом температурного перепада кварца и его разновидностей, использующихся в ювелирной промышленности в качестве полудрагоценных камней. Сущность изобретения: в способе выращивания цветных разновидностей кристаллов кварца гидротермальным методом, включающем ввод автоклава в ростовой режим, осуществляя его нагрев при у...
2209859