ГРУДИН О.М.

  СПОСОБ УСИЛЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СИГНАЛА В ПОЛУПРОВОДНИКОВОМ ЛРИБОРЕ с областью лавинного умножения носителей тока толщиной W, КЧЖ)-,(-4Л) V + 4V. 4-w-()) . -aW , -bW2 где в/ Ае -р-, , рили b4-y-f((f ( ,- 4-(Г|-4-, соответственно, где А,В,а,Ь - константы для данного полупроводникового материала; еН еН п -п-Г - mgC п « время релаксации импульсаносителя; включающей приложение к прибо...

  Изобретение относится к устройствам со стимулированным излучением, конкретно к интегрально-оптическим устройствам и полупроводниковым инжекционным лазерам. Цель изобретения сужение диаграммы направленности с максимумом, расположенным на оптической оси лазера, В полупроводниковую гетероструктуру введены пассивный волноводньш и дополнительный буферньш слои. Второй буферньй слой, ко...