ПРОХОЖЕВА М.В.
Изобретатель ПРОХОЖЕВА М.В. является автором следующих патентов:

Полупроводниковый прибор
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР на основе МДП-структуры, содержащей слой полупроводника, диэлектрика и металла, отличающийся тем, что, с целью поввдиения коэффициента выпрямления и получения куполообразной вольт-фарадной характеристики , слои выполнены из материала, удовлетворяющих следующим соотнсяиениям: ,, 3,2 f, iJ&2 где разность работ выхода между слоями диэлектрика и метал...
997581