АГРИЧ Ю.В.

  СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (sl)5 Н 01 L 21/82 ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР .(ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ(К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 1 (21) 3337714/25 (22) 22.06.81 (46) 07.03;93. Бюл. М 9 (72) Ю.В.Агрич и А.A.Ìóõèí (56) Патент Великобритании Ф 1434441, кл. Н 1 К, опубл. 1976. Патент США М 4110776, кл. 357 — 59, опубл. 1978. (54)(57)...

  РЕЗИСТИВНЫЙ ДЕЛИТЕЛЬ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, содержащий изолирующую подложку, на которой расположены резистивные и контактные элементы из поликристаллического кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения точности воспроизведения отношения сопротивлений резисторов .в делителе и расширения диапазона удельного сопротивления в нйзкоомной области, он снабжен расположенными на изол...

  СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (st)s Н 01 21/265 ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ик" гъ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3500767/25 (22) 18.10.82 (46) 07.03.93. Бюл. М 9 (72) Ю.В.Агрич, M.M.Èâàíêoâcêèé и С.А. Сульжиц (56) А fully lmpllanted MOS-S MOS blpollar techology for VLSI of Analog — Begita1 slstems. J.IEEE...

  СОЮЭ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (51) Н 01 (29/784 ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ L4- Слз К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3419099/25 (22) 07,04,82 (46) 07.03,93, Бюл. ¹ 9 (72) Ю.В.Агрич и М,М.Èâàíêîâñêèé (56) Патент США N. 3936858, кл. 357-23, опублик 1976. i,Schroeder et.al, "An ad гanted radiation Tarchnet buef cr...

  СОЮЗ COBE ТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (sils Н 01 21/265 ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ „) о ,(,Д (Л С) > (21) 3448843/25 (22) 22.03.82 (46) 07.03.93. Бюл. ГФ 9 (72) Ю.В,Агрич, А.А.Мухин и М,M.ÈBàíêîâский (56) Патент Великобритании N. 1233545, кл, Н 1 К, опублик, 1971. Патент США М 4045259. к...

  1; Поликремниевый резистор, подстраиваемый током, выполненный на изолирующей подложке и содержащий контактные участки поликремния с вертикальным градиентом распределения примеси, отличающийся тем, что, с целью повышения сопротивления на едини 4у длины, упрощения. подстройки сопротивления и уменьшения температурного крэффицшита сопротивления, он содержит между контактнь ми участка...

  Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при создании аналоговых К-МОП интегральных схем, например, JC-MOn аналого-цифровых преобразователей . Целью изобретения является повышение надежности интегральной схемы при нулевом уровне синфазных потенциалов на входах дифференциального усилителя. Штегральная схема содержит дифференциальный усыпительны...

  Изобретение относится к. микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении фотошаблонов. Цель изобретения - повьппение воспроизводимости размеров при формировании идентичных Элементов. Для этого идентичные элементы 1 и 2 получают путем N-кратного экспонирования прямоугольных фрагментов 3, ширина W каждого из. .которых может отличаться на величину погрешности t W, связан...

  Изобретение относится к электронной технике, к способам создания межсоединений больших и сверхбольших интегральных схем. Цель изобретения - повышение надежности и быстродействия интегральных схем. Согласно изобретению на кремниевую подложку со сформированными МОП- транзисторами последовательно осаждают слои титана и молибдена. Затем напыляют слой кремния. Проводят термообработку...

  Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении интегральных схем прецизионрезистивных делителей напряжения, операционных усилителей. Целью изобретения является увеличение годных резисторов и резистивных делителей путем повышения точности воспроизведения отношений сопротивлений резисторов и улучшение термовременной стабильности. Цель достига...

  Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении МОП-интегральных схем с поликремниевыми прецезионными резисторами. Цель изобретения - повышение выхода годных интегральных схем и их надежности за счет повышения точности согласования сопротивления поликремниевых резисторов и их временной стабильности под токовой нагрузкой. На кремниево...

  Изобретение откосится к электронной технике и может быть использоэано при разработке аналоговых интегральных схем операционных усилителей, компараторов напряжений, аналого-цифровых преобразователен и других схем, содержащих К-МОП дифференциальные усилители. Цель изобретения - расширение диапазона входных синфазных сигналов, повышение коэффициентов усиления и подавления синфазных...

  Изобретение, относится к электронной технике. Цель .изобретения - повышение надежности и выхода годных ИС. Сущность способа заключается в том, что на поверхность подложки с изолирующими областями наносят слой поликремния,, .формируют рисунок межсоединений, последовательно осаж дают слои cHhffliumoo6pa3yraDiero переходного металла и кремния, локально .удаляют слой кремния и металл...

  техник опорнь телей, схем, напрях-сения повыш НИИ те включает формирование на кремниевой подложке слоев изолирующего и затворного окисла кремния, осаждение поликремния , фотогравировку окон в поликремнии под резисторы. Окисляют первый слой поликремния , осаждают второй слой поликремния , фотогравировкой формируют в нем резисторы, оса.ждают нитрид кремния, фотолитографией удаляют...

  3 СОНЕТСКИК СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК „„Я0„„! 635;!. » (51) 5 Н 01 !. 21/336 ОПИСЛНИК ИЗОБРЕтенйл К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ flO ИЭОБРЕ П. КИЯМ И ОТНРЫТИЯМ ПРИ ГННТ СССР (6) 1.;.04.Я. Вюл. 14 (21) 4701076/25 (22) 08.06.89 (72) !!.И. Иванковский, С.Л. Сульж»щ и ИВ. Агрич (56) Заявка ЕПВ Р 729G7, кл. Н 01 21/82, 1983. Патент С!»!А 4408385, кл. !! 0...