Мокрушников П.В.

 Использование: изобретение относится к созданию монокристаллических лазерных сред, генерирующих в ближней ИК-области спектра. Сущность изобретения: матрица активной среды выполнена из монокристалла , обеспечивающего генерацию на длине волны 1,051 мкм. Изобретение относится к квантовой электронике, в частности к лазерным монокристаллическим средам, активированным ионами необхдима, и генер...

 Использование: получение кристаллов для изготовления лазерных элементов, ювелирных вставок. Сущность изобретения монокристаллы выращивают методом Чохральского. Затравливание ведут в инертной атмосфере, после чего вводят в атмосферу водород и продолжают вытягивание. Увеличивают концентрацию трехвалентного титана в хризоберилле до 1,5 ат.%. Изобретение относится к области получения монокрис...

 Изобретение относится к области выращивания монокристаллов из расплавов методом направленной кристаллизации в замкнутом конвейере, в частности к выращиванию монокристаллов в условиях микрогравитации путем управления конвективными потоками в расплаве. Сущность изобретения: на наружной стенке замкнутого контейнера создают нестационарное неоднородное тепловое поле, отвечающее условию: T(,t,z...