ПЕРЕЛЫГИН АЛЕКСАНДР ИВАНОВИЧ
Изобретатель ПЕРЕЛЫГИН АЛЕКСАНДР ИВАНОВИЧ является автором следующих патентов:

Способ определения энергии ионизации глубоких уровней в полупроводниках
ОП ИСАНИЕ И ЗОВРЕТЕ Н ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Соктв Советских Социалистических Республик (и) 3 005221 (6! ) Дополннтельное к авт. свнд-ву (22) Заявлено 18.05.81 (21) 3291704/18-25 (5I)M. Кл. Н 01 4 21/66 с присоединением заявки (те твсу4щстееевмй кемвтет CCCP (23) Приоритет (5Ç) УДК621.382 (088.8) Опубликовано 15.03.83. Бюллетень Мт10 Дата опубликования описания 15...
1005221
Способ монтажа полупроводниковых кристаллов на диэлектрической подложке
Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к монтажу полупроводниковых кристаллов на диэлектрической подложке гибридной схемы. Цель изобретения - упрощение технологии и снижение трудоемкости. Монтируемые кристаллы предварительно закрепляют на диэлектрической подложке с контактными площадками и схемными соединениями, совмещая контактные площадки кристалла и подложки...
1518834