Диковский В.И.

  № 133530 Класс 21g: 11о СССР Яд е р (,.".", " (1 -. .: 1.:;ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подписная группа М 97 М. А. Королев и В. И. Диковский СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВАРНЫХ КОНТАКТОВ МЕЖДУ ВЫВОДНЫМ ПРОВОДНИКОМ И ПОВЕРХНОСТЬЮ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА Заявлено 10 марта 1960 r. за № 657706/26 в Комитет по делам изобретений и открытии n;;i Совете Министров ОХ...

 Корпус полупроводникового прибора, содержащий керамическое основание с последовательно размещенными на нем слоями из тугоплавкого материала и молибдена, отличающийся тем, что, с целью снижения теплового сопротивления и повышения надежности, в качестве тугоплавкого материала используют твердый раствор молибдена в титане со следующим соотношением компонентов, мас.%: Mo - 12,5% - 16,6% Ti -...

 Способ изготовления кремниевых транзисторов с тонкопленочными резисторами, включающий формирование активных областей, последовательное нанесение двух диэлектрических слоев, формирование в них контактных окон к активным областям, осаждение и фотогравировку нихрома для резисторов и создание контактно-металлизационной системы, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных транзистор...

 Способ изготовления кремниевых полупроводниковых приборов и интегральных схем, включающий создание контактных окон в диэлектрике с помощью фотогравировки, очистку поверхности сильнолегированного кремния в окнах травлением в травителях, содержащих плавиковую кислоту, и создание контактно-металлизационной системы, отличающийся тем, что, с целью улучшения воспроизводимости электрических пара...

 (19)SU(11)1153767(13)A1(51)  МПК 5    H01L29/70(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) МОЩНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ ГЕНЕРАТОРНЫЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к биполярным мощным генераторным СВЧ-транзисторам. Известен СВЧ генераторный транзистор,...

 Изобретение относится к конструкциям мощных СВЧ-транзисторов. Целью изобретения является снижение потерь выходной мощности и увеличение КПД путем повышения равномерности согласования выхода. Транзисторный кристалл выполнен на эпитаксиальной пленке nn+ кремния, через коллекторный электрод соединен с держателем. Транзистор содержит два звена согласования выхода, состоящих из ленточных индук...

 Использование: в полупроводниковой технике, при конструировании и производстве мощных СВЧ-транзисторов. Сущность изобретения: мощный СВЧ-транзистор содержит ряд полупроводниковых кристаллов с транзисторными структурами, размещенных на металлическом фланце корпуса - общем выводе коллекторных или стоковых электродов транзисторных структур, первом выводе транзистора, второй и третий выводы т...

 Использование: в электронной технике, например в производстве кремниевых приборов. Сущность изобретения: способ включает предварительное окисление в сухом кислороде пластин нитрида бора, расположенных в держателе перпендикулярно потоку газа, размещение кремниевых пластин в держателе посередине зазора между пластинами нитрида бора, последующую термообработку кремниевых пластин в атмосфере...

 Изобретение относится к конструированию и производству мощных СВЧ-транзисторов. Предложен мощный СВЧ-транзистор, включающий в себя корпус с внутренним коллекторным электродом, разделенным на секции, с резисторами, смонтированными на нем и включенными последовательно между соседними секциями внутреннего коллекторного электрода, с внешним коллекторным электродом и коллекторным выводом, прис...