Потемкин Г.А.

  № 1 1242 Класс 18b, 20 8., г1 ;Р„ оц ., балт °, 5 . l)(st "

  Класс 47а, 20 Л" 129433 з ° -(("Д- ;! с "" "Я Г - и . ю

 Изобретение относится к отжигу полупроводниковых пластин и может быть использовано в технологических линиях по изготовлению приборов. Цель изобретения - повышение качества отжига полупроводниковых пластин большого диаметра (60 мм и более). Устройство выполнено в виде импульсного вакуумного диода с катодом, состоящим из искровых источников плазмы (анодом и сеткой) и содержит высоковольтный...

 Изобретение относится к высокотемпературным технологиям получения сложных оксидных соединений и может быть использовано для изготовления электродных материалов химических источников тока. Способ заключается в высокотемпературной обработке смеси, состоящей из гидрида лития, оксида металла из семейства железа и перхлората щелочного металла. Высокотемпературную обработку смеси проводят в реж...