Демаков К.Д.

 (19)SU(11)1026614(13)A1(51)  МПК 6    H01L33/00, H05B33/18(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 27.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) СВЕТОДИОД НА ОСНОВЕ КАРБИДА КРЕМНИЯ Изобретение относится к области полупроводникового приборостроения и в частности может быть использовано в оптоэлектронике как быстродействующий эффек...

 Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может найти применение в оптоэлектронике, например в качестве индикатора. Цель изобретения - повышение эффективности излучения в голубой области спектра - достигается тем, что известный источник света дополнительно содержит расположенный на подложке любого политипа SiC слой политипа 4Н толщиной 5 - 20 мкм концентрацией азота (0,5-1)10...

 Изобретение относится к полупроводниковой технологии, в частности к изготовлению на основе SiC источников света с излучением в зеленой области спектра. Цель изобретения - увеличение квантовой эффективности излучения в зеленой области спектра. Эпитаксиальный слой SiC политипа 6Н n-типа проводимости наращивают на подложку в высокотемпературной печи. Наращивание ведут путем сублимации в ваку...