САГИТОВ Р.Г.

  ,SU„„3 02977l Q64 11 7 00 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ::. Ръ(Ц где U U н Кнс мяти к свету в низкоомном состоянии. ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТКОЙ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3323109/18-24 (22). 27.07.81 (46) 23.08.86. Бюл. В 31 (7t) Ордена Ленина физический институт им. П.Н.Лебедева (72) А.Ф.Плотников, В.Н.Селезнев и P.Ã.Ñàãèòoâ (53) 681;327.6(088.8)...

  ОПТОЭЛЕКТРОННАЯ ЗАПОМИНАЮЩАЯ СТРУКТУРА, содержащая полупроводниковую подложку одного типа-проводимости , на одной поверхности которой размещены приповерхностные области полупроводника другого типа проводимости, между которыми на по .верхности подложки расположены слои диэлектрика со встроенным зарядом, на приповерхностных областях полупроводника другого типа проводимости размещен...

  1. НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ОПТОЭЛЕКТРОННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА, содержавщй ячейки памяти, выполненные на подложке в виде МНОП-структур и изолированные друг от друга диэлектрическим слоем, размещенным на подложке, проводящий слой, входной и выходной контакты, отличающийся тем, что с целью увеличения информационной емкости накопителя, проводящий слой выполнен в виде входящих один в др...