САИНОВ Н.А.

  СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕМПЕ РАТУРЫ КРИСТАЛЛА ПРИ ИМПУЛЬСНОМ НАГРЕВЕ путем регистрации изменения температурно-зависимого параметра кристалла под действием импульсного нагрева и сравнения с зависимостью изменения этого параметра при непрерывном нагреве, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и быстродействия определения, кристалл облучают пучком электронов с энергией 30-150...