САМСОНОВ В.М.

  ДЕТЕКТОР ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ на основе полупроводникового кристалла с нанесенной на нем поверхностно-барьерной структурой, о т л ичающийся тем, что, с цепью обеспечения работоспособности детектора на д ор1«1рованном кристалле, последний изогнут так, что отношение его толщины к радиусу изгиба в любой точке не превышает 10 , причем детектор снабжен деформирующим приспособлением...