PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Нагорная Л.Л.

Изобретатель Нагорная Л.Л. является автором следующих патентов:

Способ изготовления сцинтилляционных детекторов на основе монокристаллов n-терфенила и стильбена

Способ изготовления сцинтилляционных детекторов на основе монокристаллов n-терфенила и стильбена

 Способ изготовления сцинтилляционных детекторов на основе монокристаллов n-терфенила и стильбена, включающий выращивание монокристалла, обработку его и контейнеризацию, отличающийся тем, что, с целью улучшения сцинтилляционных характеристик детекторов, перед контейнеризацией обработанные монокристаллы нагревают со скоростью 1 - 2 град/мин до 60 - 80oC и проводят изотермический отжиг в теч...

1037773

Способ очистки паратерфенила

Способ очистки паратерфенила

 Способ очистки паратерфенила, включающий фракционирование его, перекристаллизацию из органического растворителя и последующую зонную плавку, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода целевого продукта и сокращения времени очистки, перед зонной плавкой паратерфенил дополнительно подвергают электромагнитному облучению в диапазоне волн ультрафиолетового света, рентгеновского или гамма...

1226799

Способ получения сцинтилляционных щелочно-галоидных кристаллов

Способ получения сцинтилляционных щелочно-галоидных кристаллов

 Изобретение относится к способам получения сцинтилляционных щелочно-галоидных кристаллов и обеспечивает повышение производительности процесса при сохранении оптического качества кристаллов, а также одновременное получение сцинтилляционного элемента для низкофонового спектрометра, содержащего световод. Способ включает плавление исходной соли в контейнере, введение в расплав соли активатора...

1304442

Способ обработки активированных европием монокристаллов иодида лития

Способ обработки активированных европием монокристаллов иодида лития

  Изобретение относится к способам изготовления сцинтилляционных детекторов для радиометрии нейтронного и -излучений. Целью изобретения является улучшение сцинтилляционных характеристик времени обработки. Цель достигается одностадийной матировкой торцовых и боковых поверхностей кристалла LiI(Eu) абразивным материалом с размером зерна 14 - 40 мкм. Данный способ позволяет улучшить энергетиче...

1609315