АФОНИН Л.Н.
Изобретатель АФОНИН Л.Н. является автором следующих патентов:

Высоковольтный биполярный транзистор
ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР, содержащий области эмиттера , базы и коллектора, в приповерхностной зоне последней сформированы кольцевые области того же типа проводимости , что и область базы, о т ли ч а ю щ и и с я тем, что, с целью повышения пробивного напряжёЮЕСОшендн HATEHTJS-TEKi i iBKftil БИБЛИОТЕКА ия с одновременным снижением сопроивления насьщения, области выполне...
1039413