ВЕДЕНЕЕВ АЛЕКСАНДР СЕРГЕЕВИЧ

  КРИОСТАТ, соаержащйй вакуумную камеру с установленным в ней обьектоаермсателем, выполненным из ма териала с высгасим коэффициентом тепло- , провоаности, сосуа Дьюара цля жиакого , хлааагента, установленные в камере у ; г. обьектоаержатепя и в сосуае Дьюара элект ронагреватели и трубку аля поавоаа газо - образного хлааагента из сосуца Дьюара в камеру, о Тли ч a ю ш° и и с...

  СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ПОГРАНИЧНЫХ СОСТОЯНИЙ В ЬадП-ТРАНЗИСТОРАХ , включающий охлаждение транзистора , измерение зависимости тока стока транзистора от напряжения смещения при фиксированном значении напряжения исток-сток и определение спектра пограничных состояний расчетным путем, отличающийс я тем, что, с целью увеличения чувствительности способа, транзистор охлаждают до т...

  УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ЭДС ХОЛЛА по авт. св. Ло 961501. отличающееся тем. что. с целью повышения точности, в него введены элемент сравнения мгновенной фазы магнитного поля и ключ, включенный между делителем частоты и усилителем, управляющий вход ключа соединен с выходом элемента сравнения мгновенной фазы магнитного поля, причем последний связан с валом двигателя, на котором зак...

  ВАКУУМНЫЙ КРИОСТАТ, содержащий вакуумную камеру с установлен ( ным в ней объектодержателем сосуд Дырара для лшдкого хладагента, расположенные в камере и сосуде Дьюара электронагреватели, размещенную в трубопроводе с образованием между ними кольцевого зазора магистраль для подвода к объектодержателю газообразного хладагента, в которой выполнено по крайней мере одно сквозное отверс...

  Изобретение относится к полупроводниковой технике и фотоэлектронике и может быть использовано, для контроля параметров полупроводников. Цель - обеспечение возможности определения сечения фотоионизации примесных центров. Образец снабжают двумя токовыми контактами и четырьмя потенциальными зондами. Воздействуют на охл.ажденный образец магнитным полем с одновременным облучением повер...

  Сущность изобретения: измеряют низкочастотную вольтфарадную характеристику в цепи между затвором и истоком-стоком при потенциале подложки, равном потенциалу истока-стока. Измеряют низкочастотную вольтфарадную характеристику в цепи между затвором и подложкой при тех же условиях. Изменяют высокочастотные вольтфарадные характеристики в цепи исток-сток и в цепи подложки. По измеренны...