Пищик В.В.

  С В 29 0 СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСИУВЛИК ГОСУДАРСЛИЖНОЕ IIATEHTHOE ВЕДОМСТВО СССР (f OCIIATEHT COCA) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН К АВТОРСКОМУ СВИДЕ ПЛЬСТВУ 1 (21) 3350635/М (22) 04.1181 (46) 15.12:93 Бюп. Ne 4546 (72) Андреев ЕЛ„Литвинов ЛА; ПищеЖ8, (19) Я). (11) (51) 5 С Â1 2 (54) СООСОБ ЗАТРАВЛИВАНИЯ ПРИ ВЫРАаюнпаааВвсеавни Юа(Р 49 OO tA. Ф 3048859 Изобретение относ...

 (19)SU(11)1131259(13)A3(51)  МПК 5    C30B15/34(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк патентуСтатус: по данным на 10.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ Изобретение относится и предназначено для получения монокристаллов путем выращивания из расплава методом Степанова и может быть использовано на предприятиях химической,...

  СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3882032/26 (22) 10.04.85 (46) 1.5.1193 Бритт Ню 41-42 (72) Бутинев ЕИ.; Литвинов ЛА; Пищик 8.8. (19) Я3 (11) 1284281 А1 (51) (54} УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ КОРУНДА (57) Изобретение относится к о...

  Изобретение касается технологии полупроводниковых материалов, в частности устройства для выращивания профилированных кристаллов с внутренней полостью, и позволяет улучшить качество кристаллов и повысить производительность труда Устройаво соаоит из тигля с размещенным в нем пучком капилляров и расположенного на его верхнем торце формообразоватепя в виде коаксиальных колец с капилл...

 Изобретение относится к способам затравления при выращивании профилированных монокристаллов корунда методом Степанова и способствует повышению их структурного совершенства. От предварительно выращенного кристалла отрезают плоскую пластину заданной ориентации, которая служит затравкой. Затравку устанавливают свободно на торец формообразователя, помещенного в систему подпитки расплавом в ви...

 Изобретение относится к технологии получения кристаллических изделий методом Степанова, обеспечивает увеличение прочностных и оптических характеристик монокристаллов в виде изделий, имеющих неправильную, геометрическую форму с удлиненными выступами. Устройство включает камеру роста, тигель для расплава с формообразователем. Последний выполнен в виде основания и насадки. Насадка имеет форм...

  Изобретение относится к технике получения искусственных кристаллов и обеспечивает повышение качества монокристаллов Устройство содержит камеру роста с тиглем для расплава, формообразоватепь и средство перемещения затравкодержателя Средство выполнено в форме двух коаксиально размещенных барабанов, консольно установленных на валах с возможностью вращения и осевого перемещения На вн...

  Использование: в квантовой электронике, радиотехнике, оптике и т. д. при эксплуатации изделий из монокристаллов корунда в различных температурных интервалах, при воздействии агрессивных сред и сложных деформаций. Сущность изобретения: залечивание трещин в корундовых монокристаллических изделиях осуществляют путем сжимающего усилия при нагреве. Нагрев ведут до 2050 2100°С с помощью двух п...