СТОЮХИН СЕРГЕЙ ГЛЕБОВИЧ

  СПОСОБ ТЕРМООБРАБОТКИ МОНО,КРИСТАЛЛОВ , включающий отжиг в насьнденных парах с последующим охлаж- . дением, отличающийся тем, что, с целью увеличения интенсивности экситонной люминесценции монокристаллов йодида меди, отжиг ведут при 250-300с в насы|щенных парах йодида с последующим охлаждением со скоростью 30-60 град/ч. 5 . .е СОЮЗ СОВЕТСНИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ РЕСПУБЛИН È9) (...

  Изобретение относится к получению специальных материалов электронной техники и может быть использовано в оптои акустоэлектронике при создании ультрафиолетовых твердотельных лазеров, люминофоров и т.д. Цель изобретения - улучшение поверхностного высокоомного слоя регулируемой толщины в пределах 0,5-80 мкм и увеличение интенсивности экситонной и желто-оранжевой люминесценции. Способ...

  Изобретение относится к получению монокристаллов оксида цинка гидротермальным методом и может быть использовано в оптоэлектронике при создании твердотельных лазеров, излучающих в ультрафиолетовой и фиолетовой областях спектра и используемых в системах передачи информации, в вычислительной технике и на телевидении. Обеспечивает увеличение интенсивности экситон-фононной люминесценци...

  Изобретение относится к способам окрашенных монокристаллов оксида цинка и может быть использовано в ювелирной промышленности. Обеспечивает получение кристаллов красно-оранжевой окраски и использование их в ювелирных целях. Способ включает гидротермальное выращивание кристалла из щелочного водного раствора исходного оксида цинка в присутствии щелочного металла на затравку, при высо...

  Изобретение относится к аналитической химии. Цель - выявление наличия в кристаллах оксида цинка ассоциатов (FeznxLI1zn). Образцы облучают светом с длиной волны 405 нм при температуре жидкого азота. Регистрируют спектр люминесценции при 650-800 нм. По наличию полосы с А макс 720 нм судят о присутствии ассоциатов . 1 ил. СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ .РЕСПУБЛИК (19) (11) (sl...

  Сущность изобретения заключается в том, что в способе оценки качества кристаллов оксида цинка, включающем исследование экситон-фононной люминесценции, проводится построение термической зависимости относительной интенсивности и энергетического положения полос первого и второго фононного повторения излучения свободных А-экситонов в диапазоне 77- 300 К. 1 з,п. ф-лы. СОЮЗ СОВЕТСК...