КРЕМКОВ МИХАИЛ ВИТАЛЬЕВИЧ

  СПОСОБ КОНТРОЛЯ ТОЛВЦШЫ nOKPlTOlft, заключающийся в том, что объект контроля облучают пучком ..b,,., ноэнергетических электронов, регистрируют спектр интенсивности отражен ных электронов и определяют толщину покрытия, отличающийся тем, что, с целью повышения точности контроля монослойных покрытий в процессе.их нанесения, облучение тфоизводят с энергией в пределах 5-50 эВ, ретостр...

  СПОСОБ КОНТРОЛЯ ТОЛЦИНЫ ПОКРЫТИЙ, заключающийся в том, что облучают объект пучком ионов, регистрируют ионный ток и определяют толщину покрытий, отличающийся тем, что, с целью повышения точности контроля в процессе нанесения монослойных покрытий, облучают объект моноэнергетическими отрицательными ионами, регистрируют ионный ток вторичных и рассеянных отрицательных ионов, определяю...

  Изобретение относится к измерительной технике. Целью 13обретения является повышение надежности контроля монослойных тонкопленочных покрытий в процессе их нанесения за счет отсутствия необходимости отделения отраженных электродов от полного тока вторичной эмиссии. Измеряют ток, прошедший в объект контроля до нанесения покрытия и после при облучении объекта контроля электронами эне...

  Изобретение относится к измерительной технике и к микроэлектронике, в частности к методам и средствам определения толщины тонких пленок и покрытий в процессе их роста посредством электронного облучения, и может быть использовано в микроэлектронной технике. Целью изобретения является повышение точности и чувствительности контроля толщины островковых пленок на различных стадиях их...

  Использование: в исследовании материалов радиационными методами. Сущность изобретения: исследуемое вещество облучают пучком первичных электронов, энергию которого Ер варьируют от значения, при котором наблюдают истинно вторичные электроны, до значения, при котором форма спектра не зависит от Ер, регистрируют энергетические спектры втбричных электронов , по полученным данным строя...