Половенко В.Т.

 (19)SU(11)1056807(13)A1(51)  МПК 5    H01L21/205(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 27.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления кремниевых эпитаксиальных структур. Для...