Клычников М.И.

 Использование: микроэлектроника, а именно технология изготовления КМОП-интегральных схем. Сущность изобретения: комбинированный процесс формирования разделительного и изолирующего диоксида кремния, включающий термическую очистку поверхности пластин в трихлорэтилене и кислороде и модификацию осажденного диоксида кремния из тетраэтоксисилана (ТЭОС) при пониженном давлении, термическим отжиг...

 Использование: технология изготовления ИС высокой степени интеграции на биполярных или МОП транзисторах. Сущность изобретения: процесс реактивного ионного травления поликремния в плазме гексафторида серы (SF6) и кислорода при содержании кислорода в газовой смеси 25-35 об.% в два этапа при разных уровнях мощности (1,2-1,4 Вт/см2 и 0,5-0,7 Вт/см2) с использованием датчика окончания процесса...

 Использование: в микроэлектронике при изготовлении интегральных схем на этапе плазменного травления пассивирующих покрытий. Техническим результатом изобретения является устранение образования фторуглеродной пленки, что приводит к повышению качества изделий. Сущность изобретения заключается в проведении процесса плазменного травления двухслойного пассивирующего покрытия SiC-Si3N4 в газовой...