PatentDB.ru — поиск по патентным документам

ШАМШУР Д.В.

Изобретатель ШАМШУР Д.В. является автором следующих патентов:

Сверхпроводящий полупроводниковый материал

Сверхпроводящий полупроводниковый материал

  СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (19} (И} ggy Н 01 L 39/12 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ГО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3357532/18-25 (22) 24.11.81 (46) 07.01.86. Бюл. Р 1 (71) Ленинградский ордена Ленина политехнический институт им. М.И.Калинина (72) В.И.Кайданов, С.А.Немов, Р.В.Парфеньев и Д.В.Шамшур (53) 621.326(088.8) (56) Коэн М и др. Сверхпроводимость по...

1064816

Сверхпроводящий полупроводниковый материал

Сверхпроводящий полупроводниковый материал

  Изобретение относится к сверхпроводимости . Цель изобретения - повышение температуры перехода сверхпроводящего полупроводникового материала. Поставленная цель достигается тем. что в материал Sni-xlnxTe добавляют свинец в количестве 0,2-0,75х Z 0,13 + 2,45х так, что он имеет формулу (PbzSm-z)i-xinxTe. 1 табл. 1 ил. , ж + Ю СОК)Э СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИС1ИЧГСКИХ РГ-:СПУВЛИК (я)з Н...

1686985