БАРИЛ М.А.
Изобретатель БАРИЛ М.А. является автором следующих патентов:
Устройство для газовой эпитаксии полупроводниковых соединений
СООЗ СОВЕТСНИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК Ai ае пп
1074161Изобретатель БАРИЛ М.А. является автором следующих патентов:
Устройство для газовой эпитаксии полупроводниковых соединений
СООЗ СОВЕТСНИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК Ai ае пп
1074161