ЛОМАКО ВИКТОР МАТВЕЕВИЧ

  ЭЛЕКТРОННЫЙ КОММУТАТОР содержащий последовательно расположенные электронную пушку, модулятор, анод, отклоняющие пластины и мишень, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения путем устранения электрической связи между электронным лучом и входами каналов, мишень выполнена в виде матрицы фотоприемников, число которых соответствует числу каналов коммутатора с нанесе...

  1. СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЙ ОПТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ОБЪЕКТОВ, заключающийся в том, что световой поток формируют в опорный и измерительный каналы , помещают исследуемый объект в измерительный канал, измеряют разность интенсивностей излучения на выходе обоих каналов и рассчитывают оптические характеристики объекта, отличающийс я тем, что, с целью повьгщения точности измерений, дополнитель...

  Способ измерения светового излучения и устройство для его.осуществления относится к технике измерений светового излучения и может найти применение в области спектроскопии , в частности для измерения световых потоков с высоким амплитудным разрешением. С целью повышения точности измерений направляют часть излучения дополнительного источника света на дополнительный фотоприемник, изм...

  Изобретение относится к технике измерений света и может найти применение при измерениях света с высоким амплитудным разрешением в условиях флуктуации температуры окружающей среды. Повьшение точности достигает- ,ся за счет того, что фотоприемник. содержащий фотодиод 1 и операционный усилитель 3, снабжен дополнительными операционным, усилителем 4, тремя резисторами 7, теплопроводящ...

  Изобретение может использовлио для отбраковки потенциально ненадежных интегральных схем (ИС). Способ контроля качества МДП ИС с тестовыми транзисторами заключается в следующем. Отклю чают напряжение питания ИС и подвергают ее облучению -квантами. Подают после каждого цикла облучения на Р1С и тестовые транзисторы возрастающее от нуля напряжение питания и контролируют правильность...

  Изобретение относится к микроэлектро нике и может быть использовано при изготовлении транзисторов в изделиях, эксплуатируемых в условиях воздействия радиации. Сущность: готовые структуры биполярных транзисторов облучают электронами флюэнсом (10 5-5,1016)см.2, затем проводят отжиг при 280-320°С в течение 0,5-1 ч, после этого проводят в Планерную сторону структуры имплантац...