ГРИЦЕНКО В.А.

  ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ М ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИИА1111 :ГО УСТРОЙСТВА, содержащий полупроводникову э подложку, на. которой размещен первый диэлектрическ 1й слой 5 выполненный из двуокиси кремния толщиной; А, вторюй диэлектрический слой из нитрида кремния , разманенный на первом диэлектрическом слое, третий диэлектрический слой из двуокиси кремния толщиной. 10-30 А, и проводящий слой, отличающ...