Котелянский М.И.
Изобретатель Котелянский М.И. является автором следующих патентов:
Полупроводниковый прибор
Использование: в полупроводниковых приборах, у которых активная область сформирована из гетероэпитаксиальных пленок, выполненных из широкозонных нитридных соединений типа АIIIBV. Сущность изобретения: полупроводниковый прибор включает монокристаллическую сапфировую подложку с ориентацией рабочей поверхности, содержащей направление на которой расположена гетероэпитаксиальная слоистая стру...
2186447