Балкевич В.Л.
Изобретатель Балкевич В.Л. является автором следующих патентов:
Шихта для получения керамики на основе муллита
Шихта для получения керамики на основе муллита, включающая оксид алюминия, диоксид кремния и добавку, отличающаяся тем, что, с целью снижения температуры спекания, повышения плотности, прочности и термостойкости, она в качестве добавки содержит оксид элемента из группы: скандий, иттрий, лантан, при следующем соотношении компонентов, мас.%: Диоксид кремния27,98 - 28,17Оксид элемента из гру...
1083528Шихта для получения керамического материала
Шихта для получения керамического материала, включающая Al 2O3 и SiO2 в мольном соотношении 1:1, отличающаяся тем, что, с целью повышения термостабильности при температурах более 1400°C, она дополнительно содержит добавку оксида элемента, выбранного из группы: Sc, Y или РЗЭ при следующем соотношении компонентов, мас.%: SiO2 36,77-37,04Оксид элемента, выбранного из группы:  ...
1116684Способ получения керамики на основе хромитов лантана или иттрия
Способ получения керамики на основе хромитов лантана или иттрия, включающий синтез оксидных материалов из смеси солей или соосажденных гидроксидов, смешение, прессование заготовок и их обжиг, отличающийся тем, что, с целью снижения температуры спекания, увеличения плотности и прочности керамики, синтезируют материал с повышенным содержанием La2O3 или Y2O3, содержащий, мас.%: La2O3 или Y2O...
1121914Способ получения муллитовой керамики
Способ получения муллитовой керамики, включающий введение в шихту стехиометрического состава оксида молибдена или вольфрама путем их осаждения, синтез муллита, дезагрегацию, оформление изделий и обжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения плотности, снижения температур синтеза и обжига, осуществляют совместное осаждение оксидов молибдена или вольфрама на частицах аэросила карбонатом а...
1218629Керамический материал на основе муллита
Керамический материал на основе муллита, содержащий оксид алюминия, диоксид кремния и модифицирующую добавку, отличающийся тем, что, с целью повышения термостойкости и снижения тангенса угла диэлектрических потерь, он содержит в качестве модифицирующей добавки оксид элемента из группы Se, Y, La, Cd, Hf, Ca, Mg, Sr, Ba при следующем соотношении компонентов, мас.%: Диоксид кремния27,90-28,2...
1230150