PatentDB.ru — поиск по патентным документам

АБОЛТИНЬШ Э.Э.

Изобретатель АБОЛТИНЬШ Э.Э. является автором следующих патентов:

Устройство для определения типа проводимости полупроводников

Устройство для определения типа проводимости полупроводников

  УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ;ТИПА ПРОВОДИМОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ, содержащее источник питания, СЬединенный с двумя электродами, металлические зонды подключения образца и соединенный с ними регистрирующий прибор, отличающееся тем, что, с целью упрощения устройства и расширения диапазона исслед: емых материалов по удельному сопротивлению и подвижности носителей заряда, электроды выпол...

1085390

Способ определения энергетических уровней полупроводников

Способ определения энергетических уровней полупроводников

  СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ УРОВНЕЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВ, основанный на воздействии на полупроводниковый образец внешним электрическим полем, отличающийся тем, что, с целью увеличения точности и упрощения, возбуждают в локальной области полупроводникового образца управляемые по величине электричесliv кие колебания частотой f 2L п - целые числа, v - скорость волны деформации крис...

1131398

Полупроводниковый прибор

Полупроводниковый прибор

  Изобретение относится к устройствам преобразования переменного электрического напряжения в постоянное и Изобретение относится к устройствам для преобразования переменного электрического напряжения в постоянное и может быть использовано в радиотехнике, электронике, в интегральных схемах для подачи постоянного электрического напряжения на отдельные узлы схемы. Цель изобретения - пр...

1308119

Устройство для управления сопротивлением полупроводникового резистора

Устройство для управления сопротивлением полупроводникового резистора

  Изобретение относится ц радиоэлектронике и может быть использовано в различных системах автоматики. . Целью изобретения является получение полной развязки входа от выхода при Сохранении диапазонов изменения сопротивления. Устройство содержит полупроводниковый прибор, состоявши из однородной полупроводниковой пластины кремния р-типа проводимости (КДБ) с удельным сопротивлением 0,1...

1355060