Данцев О.Н.
Изобретатель Данцев О.Н. является автором следующих патентов:
Способ изготовления микросхем
(19)SU(11)1085439(13)A1(51) МПК 5 H01L21/26(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 27.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОСХЕМ Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов, в частности к производству кремниевых интегральных схем с диэлектрически изолированными n-p-n и p-n-p...
1085439
Способ изготовления кремниевых транзисторных структур с диэлектрической изоляцией
(19)SU(11)1108966(13)A1(51) МПК 5 H01L21/76(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых интегральных схем, в частности транзисторных стру...
1108966
Способ получения изолированных монокристаллических областей
(19)SU(11)1115630(13)A1(51) МПК 5 H01L21/308(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИЗОЛИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ОБЛАСТЕЙ Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к формированию транзисторных...
1115630
Способ изготовления кремниевых транзисторных структур с диэлектрической изоляцией
(19)SU(11)1116919(13)A1(51) МПК 5 H01L21/76(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых схем, в частности к изготовлению интегральных схе...
1116919