Павлынев Я.И.
Изобретатель Павлынев Я.И. является автором следующих патентов:
Способ изготовления полупроводниковых меза-структур
Способ изготовления полупроводниковых меза-структур, включающий проведение фотолитографии и химического изотропного травления на глубину h, создающих выпрямительные меза-элементы, и защиту меза-элементов стекловидными пленками, отличающийся тем, что, с целью повышения пробивных напряжений меза-элементов, операцию фотолитографии проводят с использованием фотошаблона, рисунок которого предс...
1085442