ВАСИЛЕВСКАЯ Т.Б.
Изобретатель ВАСИЛЕВСКАЯ Т.Б. является автором следующих патентов:
![Расплав для анодирования материалов с полупроводниковыми свойствами Расплав для анодирования материалов с полупроводниковыми свойствами](https://img.patentdb.ru/i/200x200/e23428845deb012e8f4c86b5e6c537d9.jpg)
Расплав для анодирования материалов с полупроводниковыми свойствами
РАСПЛАВ ДЛЯ АНОдаРОВШ1Я МАТЕРИАЛОВ С НОЛЙТ1РОВОДН1 К08ЫЙИ СВОЙСТВАМИ , преимущественно арсенида галлия, содержавши нитраты я натрия, о т л и ч а ю щ и.й с я тем, что, с целью повьшения Iэлектрофизических свойств пленок, он дополнительно содержит молибдат амг«7ния П1Я{ соотношении компонентов , мас.%: Нитрат калия 40-60 Й1трат натрия 39,93-59,97 Молибдат аммония 0,03-0,07 СОЮЗ...
1086832