Глушко Андрей Александрович (RU)

Изобретение относится к технологии изготовления интегральных схем на комплементарных транзисторах со структурой метал-окисел-полупроводник (КМОП ИС), с использованием подложек кремний на изоляторе (КНИ). Технический результат изобретения заключается в уменьшении суммарной планарной площади областей исток-контакт; в уменьшении электросопротивления контакта к карману, за счет сокращения пути протек...

Использование: для создания микроэлектромеханических устройств (МЭМС) с повышенной радиационной стойкостью. Сущность изобретения заключается в том, что в конструкции микросистемы с повышенной радиационной стойкостью к воздействию одиночных заряженных частиц, имеющей механическую часть и электрическую часть с фрактальной формой, обкладки микроконденсаторов электрической части имеют трехмерную фракт...